STB45N30M5, MOSFET N-channel 300 V, 0.037 Ohm typ 53 A MDmesh M5 Power MOSFET

STB45N30M5, MOSFET N-channel 300 V, 0.037 Ohm typ 53 A MDmesh M5 Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
426 шт., срок 7-9 недель
1 860 руб.
от 10 шт.1 570 руб.
от 25 шт.1 440 руб.
от 100 шт.1 179.31 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 860 руб.
Номенклатурный номер: 8004827830
Артикул: STB45N30M5
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Standard Products STMicroelectronics Standard Products are a broad range of industry-standard and drop-in replacements for the most popular general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs. The Standard Products are manufactured to the highest quality standards with many AECQ-qualified for automotive applications. A comprehensive set of design aids, including SPICE, IBIS models, and simulation tools, are available to make adding to a design-in easy.

Технические параметры

Brand: STMicroelectronics
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: 1000
Id - Continuous Drain Current: 53 A
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package/Case: D2PAK-3(TO-263-3)
Packaging: Reel, Cut Tape
Pd - Power Dissipation: 250 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 95 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 37 mOhms
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 300 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -25 V, +25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3 V
Вес, г 2

Техническая документация

Datasheet
pdf, 710 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.