STB45N40DM2AG, MOSFET Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
505 шт., срок 7-9 недель
1 860 руб.
от 10 шт. —
1 560 руб.
от 25 шт. —
1 370 руб.
от 100 шт. —
1 174.39 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 860 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Стандартные продуктыСтандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 9.8 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 38 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Pd - Power Dissipation: | 250 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Product: | Power MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 56 nC |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 72 mOhms |
| Rise Time: | 6.7 ns |
| Series: | STB45N40DM2AG |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | MDmesh |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Type: | High Voltage |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 68 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 400 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Automotive | Yes |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 38 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 72@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 400 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ?25 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 5 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 250000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (?C) | -55~150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Process Technology | MDmesh DM2 |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Supplier Package | D2PAK |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 56 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 56@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 2600@100V |
| Вес, г | 4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 611 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![2SK3075(TE12L,Q), ВЧ транзистор, MOSFET, N-канал, 520МГц, 11.7дБ, 7.5Вт [2-5N1A]](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC000254166.jpg)
![FCA47N60, Транзистор, N-канал 600В 47А [TO-3PN]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426402.jpg)
![AFT09MS015NT1, Транзистор LDMOS, High Ruggedness N-канал, 136-941 МГц, 16 Вт, 12.5 В [PLD-1.5W]](https://static.chipdip.ru/lib/801/DOC004801069.jpg)
![IPW60R099C6FKSA1 (6R099C6), Транзистор MOSFET N-канал 600В 37.9А [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307917.jpg)
![IRFP4468PBF, Транзистор, N-канал 100В 290А [TO-247AC]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307909.jpg)
