STB4NK60ZT4, MOSFET N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
681 шт., срок 7-9 недель
380 руб.
от 10 шт. —
300 руб.
от 100 шт. —
227 руб.
от 250 шт. —
210.26 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 380 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 4 A |
Pd - рассеивание мощности | 70 W |
Qg - заряд затвора | 26 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 9.5 ns |
Время спада | 16.5 ns |
Высота | 4.6 mm |
Длина | 10.4 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | SuperMESH |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | STB4NK60ZT4 |
Технология | Si |
Тип | MOSFET |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 29 ns |
Типичное время задержки при включении | 12 ns |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка / блок | TO-263-3 |
Ширина | 9.35 mm |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 4 A |
Maximum Drain Source Resistance | 2 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 70 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | D2PAK(TO-263) |
Pin Count | 3 |
Series | MDmesh, SuperMESH |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 18.8 nC @ 10 V |
Width | 9.35mm |
Вес, г | 1.814 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 712 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 575 КБ
Datasheet STD4NK60ZT4
pdf, 1070 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары