STD10N60DM2, MOSFET N-channel 600 V, 0.440 Ohm typ 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2172 шт., срок 7-9 недель

450 руб.

от 10 шт. — 350 руб.

от 100 шт. — 255 руб.

от 500 шт. — 201.60 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 450 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8004827896

Артикул: STD10N60DM2

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор N-channel 600 V, 0.26 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power МОП-транзистор in a TO-220FP package

Id - непрерывный ток утечки	8 A
Pd - рассеивание мощности	109 W
Qg - заряд затвора	15 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	440 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	5 ns
Время спада	11.5 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	MDmesh
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	STD10N60DM2
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	28 ns
Типичное время задержки при включении	11 ns
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка / блок	TO-252-3
Вес, г	0.426

pdf, 644 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем