STD10NF30, MOSFET Automotive-grade N-channel 300 V, 0.28 Ohm typ 10 A MESH OVERLAY Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1061 шт., срок 7-9 недель
440 руб.
от 10 шт. —
340 руб.
от 100 шт. —
247 руб.
от 500 шт. —
195.54 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 440 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
Pd - рассеивание мощности | 103 W |
Qg - заряд затвора | 23 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 330 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 300 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | MESH OVERLAY |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | STD10NF30 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка | Reel, Cut Tape |
Упаковка / блок | TO-252-3 |
Вес, г | 0.34 |
Техническая документация
Datasheet STD10NF30
pdf, 381 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.