Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STD11NM50N, MOSFET POWER MOSFET N-CH 500V

STD11NM50N, MOSFET POWER MOSFET N-CH 500V

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2058 шт., срок 7-9 недель

340 руб.

от 10 шт. — 300 руб.

от 100 шт. — 269 руб.

от 250 шт. — 248.67 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 340 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8004827907

Артикул: STD11NM50N

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Стандартные продукты

Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.

Технические параметры

Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	2500
Fall Time:	10 ns
Id - Continuous Drain Current:	8.5 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	TO-252-3
Pd - Power Dissipation:	70 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	19 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	470 mOhms
Rise Time:	10 ns
Series:	STD11NM50N
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	MDmesh
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Type:	Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time:	33 ns
Typical Turn-On Delay Time:	8 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	500 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-25 V, +25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3 V
EU RoHS	Compliant with Exemption
ECCN (US)	EAR99
Part Status	Active
HTS	8541.29.00.95
Lead Shape	Gull-wing
Tab	Tab
Package Height	2.4(Max)
Package Width	6.2(Max)
Package Length	6.6(Max)
Mounting	Surface Mount
PCB changed	2
Product Category	Power MOSFET
Process Technology	MDmesh II
Configuration	Single
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Number of Elements per Chip	1
Maximum Drain Source Voltage (V)	500
Maximum Gate Source Voltage (V)	±25
Maximum Continuous Drain Current (A)	8.5
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	470@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	19@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	19
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	547@50V
Maximum Power Dissipation (mW)	70000
Typical Fall Time (ns)	10
Typical Rise Time (ns)	10
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	33
Typical Turn-On Delay Time (ns)	8
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Packaging	Tape and Reel
Automotive	No
Supplier Package	DPAK
Standard Package Name	TO-252
Pin Count	3
Military	No
кол-во в упаковке	2500
Brand	STMicroelectronics
Factory Pack Quantity	2500
Fall Time	10 ns
Id - Continuous Drain Current	8.5 A
Manufacturer	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature	+150 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-252-3
Pd - Power Dissipation	70 W
Qg - Gate Charge	19 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	470 mOhms
Rise Time	10 ns
RoHS	Details
Series	N-channel MDmesh
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Type	Power Mosfet
Typical Turn-Off Delay Time	33 ns
Typical Turn-On Delay Time	8 ns
Unit Weight	0.139332 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	500 V
Vgs - Gate-Source Voltage	+/-25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V
Вес, г	0.33