STD13N65M2, MOSFET N-channel 650 V, 0.37 Ohm typ 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4014 шт., срок 6-8 недель
500 руб.
от 10 шт. —
310 руб.
от 100 шт. —
237 руб.
от 500 шт. —
194.65 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 500 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор N-channel 650 V, 0.37 Ohm typ., 10 A MDmesh M2 Power МОП-транзистор in DPAK package
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
| Pd - рассеивание мощности | 110 W |
| Qg - заряд затвора | 17 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 370 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 7.8 ns |
| Время спада | 12 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | STD13N65M2 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 38 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.6V |
| Maximum Continuous Drain Current | 10 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 430 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 110 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Series | MDmesh M2 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Width | 6.2mm |
| Вес, г | 4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet STD13N65M2
pdf, 550 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
