Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STD3NK80Z-1, MOSFET N-Ch, 800V-3.8ohms Zener ...

STD3NK80Z-1, MOSFET N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

579 шт., срок 6-8 недель

550 руб.

от 10 шт. — 420 руб.

от 100 шт. — 323 руб.

от 500 шт. — 257.99 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 550 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8004827968

Артикул: STD3NK80Z-1

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	2.5 A
Pd - рассеивание мощности	70 W
Qg - заряд затвора	19 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	4.5 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	800 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4.5 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	27 ns
Время спада	40 ns
Высота	6.2 mm
Длина	6.6 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	SuperMESH
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	2.1 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	STD3NK80Z-1
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	36 ns
Типичное время задержки при включении	17 ns
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-251-3
Ширина	2.4 mm
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	2.5 A
Maximum Drain Source Resistance	4.5 Ω
Maximum Drain Source Voltage	800 V
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4.5V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	70 W
Minimum Gate Threshold Voltage	3V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	IPAK(TO-251)
Pin Count	3
Series	MDmesh, SuperMESH
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	19 nC @ 10 V
Width	2.4mm
Вес, г	1.361