Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STD44N4LF6, MOSFET N-Ch 40V 8.9 mOhm 44A ...

STD44N4LF6, MOSFET N-Ch 40V 8.9 mOhm 44A STripFET VI Deep

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2500 шт., срок 6-8 недель

430 руб.

от 10 шт. — 330 руб.

от 100 шт. — 243 руб.

от 500 шт. — 192.52 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 430 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8004827971

Артикул: STD44N4LF6

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Стандартные продукты

Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.

Технические параметры

Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	2500
Id - Continuous Drain Current:	44 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	TO-252-3
Pd - Power Dissipation:	50 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	22 nC
Qualification:	AEC-Q101
Rds On - Drain-Source Resistance:	11.3 mOhms
Series:	STD44N4LF6
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	STripFET
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	40 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2.5 V
Вес, г	0.33