STFH24N60M2, MOSFET N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide cree
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
638 шт., срок 7-9 недель
730 руб.
от 10 шт. —
600 руб.
от 100 шт. —
438 руб.
от 500 шт. —
371.63 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 730 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Стандартные продуктыСтандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 920 |
| Fall Time: | 15 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 18 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 30 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 29 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 168 mOhms |
| Rise Time: | 9 ns |
| Series: | STFH24N60M2 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | MDmesh |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 60 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Base Product Number | STFH24 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1060pF @ 100V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 9A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | MDmeshв„ў -> |
| Supplier Device Package | TO-220FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Вес, г | 1.95 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 596 КБ
Datasheet STFH24N60M2
pdf, 730 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
