STFU10NK60Z, MOSFET N-channel 600 V, 0.68 Ohm typ 10 A SuperMESH Power MOSFET in TO-220FP ultra narr
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2062 шт., срок 7-9 недель
490 руб.
от 10 шт. —
370 руб.
от 100 шт. —
276 руб.
от 500 шт. —
222.07 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 490 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Стандартные продуктыСтандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 30 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 10 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 35 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 48 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 680 mOhms |
| Rise Time: | 20 ns |
| Series: | STFU10NK60Z |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | SuperMESH |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 55 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Base Product Number | STFU10 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1370pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 4.5A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | RoHS non-compliant |
| Series | SuperMESHв„ў -> |
| Supplier Device Package | TO-220FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250ВµA |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.68Ом |
| Power Dissipation | 35Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | SuperMESH |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Непрерывный Ток Стока | 10А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.75В |
| Рассеиваемая Мощность | 35Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.68Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FP |
| Вес, г | 1.95 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 453 КБ
Datasheet STFU10NK60Z
pdf, 589 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
