FCMT299N60, MOSFET N-Channel SuperFET sup /sup II MOSFET

FCMT299N60, MOSFET N-Channel SuperFET sup   /sup  II MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 260 руб.
от 10 шт.980 руб.
от 25 шт.825 руб.
от 100 шт.715.54 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 260 руб.
Номенклатурный номер: 8004833301
Артикул: FCMT299N60

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор SF2 600V 299MOHM F PQFN88

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 12 A
Pd - рассеивание мощности 125 W
Qg - заряд затвора 39 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 299 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3.5 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 9 ns
Время спада 7 ns
Высота 1.1 mm
Длина 8 mm
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение SuperFET II
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 12 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 3000
Серия FCMT299N60
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 51 ns
Типичное время задержки при включении 19 ns
Торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок Power-88-4
Ширина 8 mm
Вес, г 6

Техническая документация

Datasheet FCMT299N60
pdf, 714 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов