FCMT299N60, MOSFET N-Channel SuperFET sup /sup II MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 260 руб.
от 10 шт. —
980 руб.
от 25 шт. —
825 руб.
от 100 шт. —
715.54 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 260 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор SF2 600V 299MOHM F PQFN88
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 12 A |
Pd - рассеивание мощности | 125 W |
Qg - заряд затвора | 39 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 299 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.5 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 9 ns |
Время спада | 7 ns |
Высота | 1.1 mm |
Длина | 8 mm |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | SuperFET II |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 12 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | FCMT299N60 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 51 ns |
Типичное время задержки при включении | 19 ns |
Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
Упаковка / блок | Power-88-4 |
Ширина | 8 mm |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet FCMT299N60
pdf, 714 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары