FCP104N60, MOSFET SuperFET2 600V Fast ver

Фото 1/2 FCP104N60, MOSFET SuperFET2 600V Fast ver
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 640 руб.
от 10 шт.1 350 руб.
от 50 шт.884 руб.
от 100 шт.795.85 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 640 руб.
Номенклатурный номер: 8004833303
Артикул: FCP104N60

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор SuperFET2 600V Fast ver

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 37 A
Pd - рассеивание мощности 357 W
Qg - заряд затвора 63 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 104 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3.5 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 18 ns
Время спада 3.3 ns
Высота 16.3 mm
Длина 10.67 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение SuperFET II
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 33 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 800
Серия FCP104N60
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 72 ns
Типичное время задержки при включении 26 ns
Торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Ширина 4.7 mm
Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.096Ом
Power Dissipation 357Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции SuperFET II
Монтаж транзистора Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 600В
Непрерывный Ток Стока 37А
Пороговое Напряжение Vgs 3.5В
Рассеиваемая Мощность 357Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.096Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-220
Вес, г 1.8

Техническая документация

Datasheet FCP104N60
pdf, 768 КБ
Datasheet FCP104N60
pdf, 766 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов