Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ON Semiconductor › FCP104N60, MOSFET SuperFET2 600V Fast ver

FCP104N60, MOSFET SuperFET2 600V Fast ver

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 640 руб.

от 10 шт. — 1 350 руб.

от 50 шт. — 884 руб.

от 100 шт. — 795.85 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 640 руб.

Номенклатурный номер: 8004833303

Артикул: FCP104N60

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор SuperFET2 600V Fast ver

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	37 A
Pd - рассеивание мощности	357 W
Qg - заряд затвора	63 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	104 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3.5 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	18 ns
Время спада	3.3 ns
Высота	16.3 mm
Длина	10.67 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	SuperFET II
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	33 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	800
Серия	FCP104N60
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	72 ns
Типичное время задержки при включении	26 ns
Торговая марка	ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.7 mm
Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.096Ом
Power Dissipation	357Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	SuperFET II
Монтаж транзистора	Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	600В
Непрерывный Ток Стока	37А
Пороговое Напряжение Vgs	3.5В
Рассеиваемая Мощность	357Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.096Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-220
Вес, г	1.8