Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ON Semiconductor › FCP190N65S3, MOSFET SuperFET3 650V 190 mOhm ...

FCP190N65S3, MOSFET SuperFET3 650V 190 mOhm, TO220F PKG

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

700 руб.

от 50 шт. — 500 руб.

от 100 шт. — 422 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 700 руб.

Номенклатурный номер: 8004833313

Артикул: FCP190N65S3

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

МОП-транзисторы SuperFET® III

МОП-транзисторы onsemi SuperFET® III представляют собой высоковольтные N-канальные МОП-транзисторы с суперпереходом (SJ), разработанные для удовлетворения требований высокой плотности мощности, эффективности системы и исключительной надежности. телекоммуникаций, серверов, зарядных устройств для электромобилей (EV) и солнечных батарей. Эти устройства сочетают в себе лучшую в своем классе надежность, низкий уровень электромагнитных помех, превосходную эффективность и превосходные тепловые характеристики, что делает их идеальным выбором для высокопроизводительных приложений. В дополнение к их рабочим характеристикам, широкий спектр вариантов корпусов, предлагаемых onsemi SuperFET III MOSFET, дает разработчикам продукции высокую гибкость, особенно при проектировании с ограниченными размерами.

Технические параметры

Brand:	onsemi/Fairchild
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	50
Fall Time:	16 ns
Forward Transconductance - Min:	10 S
Id - Continuous Drain Current:	17 A
Manufacturer:	onsemi
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	TO-220-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	144 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	33 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	159 mOhms
Rise Time:	22 ns
Series:	FCP190N65S3
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	57 ns
Typical Turn-On Delay Time:	20 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	650 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-30 V, +30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2.5 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Forward Diode Voltage	1.2V
Maximum Continuous Drain Current	17 A
Maximum Drain Source Resistance	190 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	650 V
Maximum Gate Source Voltage	±30 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4.5V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	144 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2.5V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Typical Gate Charge @ Vgs	33 nC @ 10 V
Width	4.7mm
Вес, г	5