FCPF2250N80Z, MOSFET N-Channel SuperFET sup /sup II MOSFET 800 V, 2.6 A, 2.25 O
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
840 руб.
от 10 шт. —
690 руб.
от 50 шт. —
625 руб.
от 100 шт. —
518.40 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 840 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор SF2 800V 2.25OHM E TO220F
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 2.6 A |
Pd - рассеивание мощности | 21.9 W |
Qg - заряд затвора | 14 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.25 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 6.7 ns |
Время спада | 8.7 ns |
Высота | 16.07 mm |
Длина | 10.36 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | SuperFET II |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2.28 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | FCPF2250N80Z |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Типичное время задержки выключения | 26 ns |
Типичное время задержки при включении | 11 ns |
Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Ширина | 4.9 mm |
Вес, г | 2.27 |
Техническая документация
Datasheet FCPF2250N80Z
pdf, 689 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары