FDA16N50-F109, MOSFET 500V 16.5A NCH

FDA16N50-F109, MOSFET 500V 16.5A NCH
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
880 руб.
от 10 шт.790 руб.
от 25 шт.639 руб.
от 100 шт.499.79 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 880 руб.
Номенклатурный номер: 8004833360
Артикул: FDA16N50-F109

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 500V 16.5A NCH

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 16.5 A
Pd - рассеивание мощности 205 W
Qg - заряд затвора 45 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 380 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 500 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 150 ns
Время спада 80 ns
Высота 20.1 mm
Длина 16.2 mm
Другие названия товара № FDA16N50_F109
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение UniFET
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 450
Серия FDA16N50_F109
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 65 ns
Типичное время задержки при включении 40 ns
Торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-3PN-3
Ширина 5 mm
Вес, г 6

Техническая документация

Datasheet FDA16N50-F109
pdf, 1704 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов