EFC6602R-TR, MOSFET Power MOSFET for 1-Cell Lithium-ion Battery Protection, 12 V, 5.9 mohm, 18 A, Dual N-Channel
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
200 руб.
от 10 шт. —
170 руб.
от 100 шт. —
107 руб.
от 500 шт. —
86.28 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 200 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 18 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5.9 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 12 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 5000 |
Серия | EFC6602R |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Упаковка / блок | WLCSP-6 |
Вес, г | 0.066 |
Техническая документация
Datasheet EFC6602R-TR
pdf, 757 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов