NCD5703BDR2G, Gate Drivers IGBT Gate Drivers High-Cur Stand-Alone
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
770 руб.
от 10 шт. —
620 руб.
от 100 шт. —
440 руб.
от 250 шт. —
384 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 770 руб.
Описание
Semiconductors\Power Management ICs\Gate Drivers
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 7.9 ns |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +125 C |
| Maximum Turn-Off Delay Time: | 75 ns |
| Maximum Turn-On Delay Time: | 75 ns |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Drivers: | 1 Driver |
| Number of Outputs: | 1 Output |
| Operating Supply Current: | 900 uA |
| Output Current: | 4 A |
| Output Voltage: | 5 V |
| Package/Case: | SOIC-8 |
| Pd - Power Dissipation: | 700 mW |
| Product Category: | Gate Drivers |
| Product Type: | Gate Drivers |
| Product: | IGBT, MOSFET Gate Drivers |
| Rise Time: | 9.2 ns |
| Subcategory: | PMIC-Power Management ICs |
| Supply Voltage - Max: | 30 V |
| Supply Voltage - Min: | 20 V |
| Technology: | Si |
| Type: | Half-Bridge |
| Вес, г | 3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 709 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
