AUIRF7669L2TR, MOSFET 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 180 руб.
от 10 шт. —
1 850 руб.
от 25 шт. —
1 840 руб.
от 100 шт. —
1 420.66 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 180 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Автомобильные МОП-транзисторы с N-каналом от 75 В до 100 В Infineon Technologies Автомобильные МОП-транзисторы с N-каналом от 75 В до 100 В сертифицированы по стандарту AEC-Q101 для автомобильных приложений и доступны в широком диапазоне типов корпусов, включая D- PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8) и SSO8 (TDSON-8). Эти полевые МОП-транзисторы идеально подходят для систем впрыска топлива, приложений беспроводной зарядки в автомобиле и подсистемы питания 48 В, снижающей выбросы CO 2, известной как Board Net.
Технические параметры
Brand: | Infineon Technologies |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |
Fall Time: | 14 ns |
Forward Transconductance - Min: | 90 S |
Id - Continuous Drain Current: | 114 A |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | DirectFET-L8 |
Pd - Power Dissipation: | 100 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 120 nC |
Qualification: | AEC-Q101 |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.5 mOhms |
Rise Time: | 30 ns |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 27 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
Automotive | Yes |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single Octal Source Dual Drain |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Lead Shape | No Lead |
Material | Si |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 19 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 4.4@10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 5 |
Maximum IDSS (uA) | 5 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 3300 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 15 |
Pin Count | 15 |
PPAP | Unknown |
Process Technology | DirectFET |
Product Category | Power MOSFET |
Supplier Package | Direct-FET L8 |
Supplier Temperature Grade | Automotive |
Typical Fall Time (ns) | 14 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 81 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 81@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 5660@25V |
Typical Rise Time (ns) | 30 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 27 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 15 |
Вес, г | 0.18 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем