BSM150GB120DN2, IGBT Modules 1200V 150A DUAL

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

64 520 руб.

от 10 шт. — 57 400 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 64 520 руб.

Номенклатурный номер: 8006476707

Артикул: BSM150GB120DN2

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A DUAL

Pd - рассеивание мощности	1.25 kW
Вид монтажа	Chassis Mount
Высота	30 mm
Длина	106.4 mm
Другие названия товара №	SP000095942 BSM150GB120DN2HOSA1
Категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Конфигурация	Half Bridge
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	210 A
Подкатегория	IGBTs
Продукт	IGBT Silicon Modules
Размер фабричной упаковки	10
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Modules
Ток утечки затвор-эмиттер	320 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tray
Упаковка / блок	Half Bridge2
Ширина	61.4 mm
Вес, г	363.1