TBD62786AFNG,EL

TBD62786AFNG,EL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
20690 шт., срок 7-9 недель
400 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 400 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8007580384
Бренд: Toshiba

Описание

TBD62x DMOS FET Transistor Arrays
Toshiba TBD62x DMOS FET Transistor Arrays are equipped with 7-channel and 8-channel common source power DMOS arrays. The Doubled-Diffused MOSFET (DMOS FET) type sink-output driver allows high voltage and consumes less power due to reduced on-resistance of the output stage. These TBD62x transistor arrays feature 50V high output voltage, -0.5A high output current, and high efficiency. The transistor arrays operate from a -40°C to +85°C temperature range and support a -55°C to +150°C storage temperature range. These TBD62x transistor arrays are available in through-hole and surface-mount packages.

Технические параметры

Brand: Toshiba
Configuration: Inverting
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2000
Logic Type: CMOS
Manufacturer: Toshiba
Maximum Operating Temperature: +85 C
Maximum Turn-Off Delay Time: 2 us
Maximum Turn-On Delay Time: 0.2 us
Minimum Operating Temperature: -40 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Drivers: 8 Driver
Number of Outputs: 8 Output
Operating Supply Current: 5 mA
Output Current: 500 mA
Output Voltage: 50 V
Package / Case: SSOP-18
Pd - Power Dissipation: 960 mW
Product Category: Gate Drivers
Product Type: Gate Drivers
Product: Driver ICs-Various
Rds On - Drain-Source Resistance: 3.25 Ohms
Shutdown: No Shutdown
Subcategory: PMIC-Power Management ICs
Supply Voltage - Max: 50 V
Supply Voltage - Min: 2 V
Technology: Si
Type: Low-Side

Техническая документация

Datasheet TBD62786AFNG.EL
pdf, 321 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.