STGB7NC60HDT4, Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 14 А, 600 В
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
990 шт., срок 7 недель
780 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 50 шт. —
530 руб.
от 200 шт. —
423 руб.
от 500 шт. —
375.06 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 7 800 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Описание Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 14 А, 600 В Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 2.5В |
| Collector Emitter Voltage Max | - |
| Continuous Collector Current | 25А |
| Power Dissipation | 80Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Brand | STMicroelectronics |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.5 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C | 10 A |
| Continuous Collector Current Ic Max | 25 A |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Gate-Emitter Leakage Current | +/-100 nA |
| Height | 4.6 mm |
| Length | 10.28 mm |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | D2PAK-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 25 W |
| Product Category | IGBT Transistors |
| RoHS | Details |
| Series | STGB7NC60HD |
| Technology | Si |
| Width | 9.35 mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.5 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 10 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 25 A |
| Continuous Collector Current: | 14 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | +/-100 nA |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D2PAK-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 25 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Series: | STGB7NC60HD |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 1.39 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1339 КБ
Документация
pdf, 1358 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
