NTMT110N65S3HF, MOSFET Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FRFET, 650 V, 30 A, 110 mohm, Power88
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 230 руб.
от 10 шт. —
1 910 руб.
от 25 шт. —
1 700 руб.
от 100 шт. —
1 375.97 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 230 руб.
Описание
The ON Semiconductor SUPERFET III MOSFET has high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.11 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | PQFN4 8x8 |
| Pin Count | 4 |
| Series | NTMT110N |
| Transistor Material | Si |
| Drain Source On State Resistance | 0.098Ом |
| Power Dissipation | 240Вт |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | SUPERFET III FRFET |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Непрерывный Ток Стока | 30А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PQFN |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet NTMT110N65S3HF
pdf, 297 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
