STP5N95K5, Транзистор полевой N-канальный 950В 3.5A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
296 шт. со склада г.Москва, срок 10 дней
190 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 15 шт. —
150 руб.
от 30 шт. —
138 руб.
от 50 шт. —
132 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 570 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 950В 3.5A
Технические параметры
| Корпус | TO-220AB | |
| Base Product Number | STP5N95 -> | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 3.5A (Tc) | |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 950V | |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ECCN | EAR99 | |
| FET Type | N-Channel | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.5nC @ 10V | |
| HTSUS | 8541.29.0095 | |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 220pF @ 100V | |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) | |
| Package | Tube | |
| Package / Case | TO-220-3 | |
| Power Dissipation (Max) | 70W (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 1.5A, 10V | |
| REACH Status | REACH Unaffected | |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
| Series | SuperMESH5в„ў -> | |
| Supplier Device Package | TO-220 | |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Vgs (Max) | 30V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100ВµA | |
| Channel Type | N Channel | |
| Drain Source On State Resistance | 2Ом | |
| Power Dissipation | 70Вт | |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) | |
| Линейка Продукции | MDmesh K5 | |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C | |
| Монтаж транзистора | Through Hole | |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В | |
| Напряжение Истока-стока Vds | 950В | |
| Непрерывный Ток Стока | 3.5А | |
| Полярность Транзистора | N Канал | |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В | |
| Рассеиваемая Мощность | 70Вт | |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 2Ом | |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB | |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный | |
| Brand: | STMicroelectronics | |
| Channel Mode: | Enhancement | |
| Configuration: | Single | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 | |
| Fall Time: | 25 ns | |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.5 A | |
| Manufacturer: | STMicroelectronics | |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
| Mounting Style: | Through Hole | |
| Number of Channels: | 1 Channel | |
| Package / Case: | TO-220-3 | |
| Packaging: | Tube | |
| Pd - Power Dissipation: | 70 W | |
| Product Category: | MOSFET | |
| Product Type: | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge: | 12.5 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2 Ohms | |
| Rise Time: | 16 ns | |
| Series: | STP5N95K5 | |
| Subcategory: | MOSFETs | |
| Technology: | Si | |
| Tradename: | MDmesh | |
| Transistor Polarity: | N-Channel | |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 32 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 950 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V | |
| Вес, г | 2.7 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
