NTP2955G, Транзистор полевой P-канальный 60В 2.4A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
64 руб.
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 23 шт. —
56 руб.
от 50 шт. —
53 руб.
от 100 шт. —
50 руб.
Добавить в корзину 8 шт.
на сумму 512 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой P-канальный 60В 2.4A
Технические параметры
Корпус | TO-220AB | |
Brand | ON Semiconductor | |
Channel Mode | Enhancement | |
Configuration | Single | |
Factory Pack Quantity | 50 | |
Fall Time | 45 ns | |
Forward Transconductance - Min | 6 S | |
Height | 15.75 mm | |
Id - Continuous Drain Current | -12 A | |
Length | 10.53 mm | |
Manufacturer | ON Semiconductor | |
Maximum Operating Temperature | +175 C | |
Minimum Operating Temperature | -55 C | |
Mounting Style | Through Hole | |
Number of Channels | 1 Channel | |
Package / Case | TO-220-3 | |
Packaging | Tube | |
Pd - Power Dissipation | 2.4 W | |
Product Category | MOSFET | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 156 mOhms | |
Rise Time | 41 ns | |
RoHS | Details | |
Series | NTP2955 | |
Technology | Si | |
Transistor Polarity | P-Channel | |
Transistor Type | 1 P-Channel | |
Type | MOSFET | |
Typical Turn-Off Delay Time | 27 ns | |
Typical Turn-On Delay Time | 10 ns | |
Unit Weight | 0.211644 oz | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -60 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V | |
Width | 4.83 mm | |
Вес, г | 2.676 |
Техническая документация
Datasheet NTP2955G
pdf, 124 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов