Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STF18N60M2, Транзистор полевой MOSFET ...

STF18N60M2, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

71 шт. со склада г.Москва, срок 9 дней

160 руб.

Мин. кол-во для заказа 4 шт.

от 18 шт. — 130 руб.

от 35 шт. — 114 руб.

Добавить в корзину 4 шт. на сумму 640 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8009975934

Артикул: STF18N60M2

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В

Технические параметры

Корпус	TO-220FP
Id - непрерывный ток утечки	13 A
Pd - рассеивание мощности	25 W
Qg - заряд затвора	21.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	255 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	9 ns
Время спада	10.6 ns
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	MDmesh
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	STF18N60M2
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	47 ns
Типичное время задержки при включении	12 ns
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	13A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	791pF @ 100V
Manufacturer	STMicroelectronics
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C(TJ)
Package / Case	TO-220-3 Full Pack
Packaging	Tube
Part Status	Active
Power Dissipation (Max)	25W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	280 mOhm @ 6.5A, 10V
Series	MDmeshв(ў II Plus
Standard Package	50
Supplier Device Package	TO-220FP
Technology	MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±25V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250ВµA
Вес, г	2.3