STP100N6F7, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100А 4.7мОм TO-220

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

450 шт. со склада г.Москва, срок 10 дней

160 руб.

Мин. кол-во для заказа 4 шт.

от 18 шт. — 130 руб.

от 36 шт. — 114 руб.

от 100 шт. — 106 руб.

Добавить в корзину 4 шт. на сумму 640 руб.

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8012628827

Артикул: STP100N6F7

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100А 4.7мОм TO-220

Корпус	to-220
Brand	STMicroelectronics
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	1000
Fall Time	15 ns
Id - Continuous Drain Current	100 A
Manufacturer	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature	+175 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-220-3
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	125 W
Product Category	MOSFET
Qg - Gate Charge	30 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	5.6 mOhms
Rise Time	55.5 ns
RoHS	Details
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	28.6 ns
Typical Turn-On Delay Time	21.6 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2 V
Channel Type	N
Forward Diode Voltage	1.2V
Maximum Continuous Drain Current	100 A
Maximum Drain Source Resistance	5.6 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Power Dissipation	125 W
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220
Pin Count	3
Series	STripFET F7
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	12.6 nC @ 10 V
Width	4.6mm
Вес, г	2.3