NCP51820AMNTWG, NCP51820AMNTWGOS, DualLow Side/High Side, High Side, Low Side Power Switch IC 15-Pin, QFN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
300 руб.
Кратность заказа 4000 шт.
Добавить в корзину 4000 шт.
на сумму 1 200 000 руб.
Описание
Semiconductors\Power Management ICs\Power Switch ICs
The NCP51820 high-speed gate driver is designed to meet the stringent requirements of driving enhancement mode (e−mode) and gate injection transistor (GIT) GaN HEMT power switches in offline, half-bridge power topologies.
Технические параметры
| Maximum Operating Current | 2.5mA |
| Maximum Operating Supply Voltage | 17 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Channels | 2 |
| Package Type | QFN |
| Pin Count | 15 |
| Power Switch Topology | Low Side/High Side |
| Power Switch Type | High Side, Low Side |
| IC Case / Package | QFN |
| Задержка Выхода | 25нс |
| Задержка по Входу | 25нс |
| Количество Выводов | 15вывод(-ов) |
| Конфигурация Привода | Полумост |
| Максимальная Рабочая Температура | 125°C |
| Максимальное Напряжение Питания | 17В |
| Минимальная Рабочая Температура | -40°C |
| Минимальное Напряжение Питания | 9В |
| Стиль Корпуса Привода | QFN |
| Тип переключателя питания | MOSFET |
| Ток истока | 1А |
| Ток стока | 2А |
| Driven Configuration | Half Bridge |
| Fall Time | 1.5ns |
| Load Type | MOSFET |
| Operating Temperature | -40℃~+125℃ |
| Peak Output Current(sink) | 2A |
| Peak Output Current(source) | 1A |
| Rise Time | 2ns |
| Supply Voltage | 9V~17V |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
