NP3407VR-G, 30V 4A 1.7W 45m-@10V,4A 1.3V@250uA 75pF@10V P Channel 700pF@10V 14nC@4.5V -55-~+150-@(Tj) SOT-23 MOSFETs
2120 шт., срок 6 недель
16 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
9 руб.
от 600 шт. —
7.60 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 320 руб.
Описание
30V 4A 1.7W 45mΩ@10V,4A 1.3V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 4A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 45mΩ@10V, 4A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.3V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 700pF@10V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 1.7W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 75pF@10V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 14nC@4.5V |
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 304 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![1N60L, Транзистор N-MOSFET 600В 1А [TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
![2N60G, Транзистор N-MOSFET 600В 2А [SOT-223]](https://static.chipdip.ru/lib/288/DOC005288115.jpg)
