PPMT30V4, 30V 4.2A 60m-@10V,4.2A 1.2W 1.3V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs
3130 шт., срок 6 недель
18 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
11 руб.
от 300 шт. —
9.10 руб.
от 3000 шт. —
7.45 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 180 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 4.2A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 60mΩ@10V, 4.2A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.3V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 1.2W |
| Type | P Channel |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 4.2A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 1.2W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 60mΩ 4.2A, 10V |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1.3V 250uA |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet PPMT30V4
pdf, 226 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![1N60L, Транзистор N-MOSFET 600В 1А [TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
![2N60G, Транзистор N-MOSFET 600В 2А [SOT-223]](https://static.chipdip.ru/lib/288/DOC005288115.jpg)
