PPMT30V4, 30V 4.2A 60m-@10V,4.2A 1.2W 1.3V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs

3130 шт., срок 6 недель
18 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт.11 руб.
от 300 шт.9.10 руб.
от 3000 шт.7.45 руб.
Добавить в корзину 10 шт. на сумму 180 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015841710
Артикул: PPMT30V4

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) 4.2A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 60mΩ@10V, 4.2A
Drain Source Voltage (Vdss) 30V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 1.3V@250uA
Power Dissipation (Pd) 1.2W
Type P Channel
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C 4.2A
Power Dissipation-Max (Ta=25°C) 1.2W
Rds On - Drain-Source Resistance 60mΩ 4.2A, 10V
Transistor Polarity P Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30V
Vgs - Gate-Source Voltage 1.3V 250uA
Вес, г 0.04

Техническая документация

Datasheet PPMT30V4
pdf, 226 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.