12N10-VB, 100V 15A 114m-@10V,3A 3W 2.5V@250uA N Channel TO-252-2 MOSFETs
581 шт., срок 7 недель
120 руб.
от 10 шт. —
87 руб.
от 30 шт. —
68 руб.
от 100 шт. —
60.48 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 120 руб.
Описание
100V 15A 114mΩ@10V,3A 3W 2.5V@250uA N Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 15A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 115mΩ@10V, 15A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | - |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
Power Dissipation (Pd) | - |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
Type | N Channel |
Вес, г | 0.39 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 393 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары