12N10-VB, 100V 15A 114m-@10V,3A 3W 2.5V@250uA N Channel TO-252-2 MOSFETs

581 шт., срок 7 недель
120 руб.
от 10 шт.87 руб.
от 30 шт.68 руб.
от 100 шт.60.48 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 120 руб.
Номенклатурный номер: 8015845948
Артикул: 12N10-VB

Описание

100V 15A 114mΩ@10V,3A 3W 2.5V@250uA N Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) 15A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 115mΩ@10V, 15A
Drain Source Voltage (Vdss) 100V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) -
Input Capacitance (Ciss@Vds) -
Power Dissipation (Pd) -
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) -
Total Gate Charge (Qg@Vgs) -
Type N Channel
Вес, г 0.39

Техническая документация

Datasheet
pdf, 393 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.