2SJ327-Z-E1-AZ-VB, TO-252-2 MOSFETs
10 шт., срок 7 недель
200 руб.
от 10 шт. —
130 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 200 руб.
Описание
TO-252-2 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | - |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | - |
Drain Source Voltage (Vdss) | - |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | - |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
Power Dissipation (Pd) | - |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
Type | - |
Вес, г | 0.38 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 215 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.