NP2N10VR-G, 100V 2A 200m-@10V,2A 2.5W 1.9V@250uA 14pF@50V N Channel 423pF@50V 6.73nC@10V -55-~+150-@(Tj) SOT-23 MOSFETs
850 шт., срок 6 недель
21 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
13 руб.
от 300 шт. —
11 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 210 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 2A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 200mΩ@10V, 2A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.9V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 423pF@50V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 2.5W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 14pF@50V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 6.73nC@10V |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 448 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![100N03A, Транзистор N-MOSFET 30В 90А [TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
![2N60G, Транзистор N-MOSFET 600В 2А [SOT-223]](https://static.chipdip.ru/lib/288/DOC005288115.jpg)
