2SJ182S-VB, 60V 30A 4W 61m-@10V,5A 3V@250uA P Channel TO-252-3 MOSFETs
15 шт., срок 7 недель
200 руб.
от 10 шт. —
120 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 200 руб.
Описание
60V 30A 4W 61mΩ@10V,5A 3V@250uA P Channel TO-252 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 30A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 61mΩ@10V, 5A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 4W |
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.38 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 213 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
