AO4443-VB, 30V 5.8A 42m-@10V,5.8A 2.5W 2V@250uA P Channel SO-8 MOSFETs
50 шт., срок 6 недель
120 руб.
от 10 шт. —
87 руб.
от 30 шт. —
79 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 120 руб.
Описание
30V 5.8A 42mΩ@10V,5.8A 2.5W 2V@250uA P Channel SO-8 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 5.8A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 42mΩ@10V, 5.8A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 2.5W |
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.25 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 405 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![2SK3265, Транзистор, TT-MOSV, N-канал, 700В, 5А [SC-67 / 2-10R1B]](https://static.chipdip.ru/lib/299/DOC005299884.jpg)
![AP4525GEH, Транзистор, N+ P-канал, 40В, 15/-12А, 28/42мОм [TO-252-4L]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294459.jpg)
