VBM165R18, 650V 18A 208W 4V@250uA N Channel ITO-220AB-3 MOSFETs
35 шт., срок 7 недель
610 руб.
от 10 шт. —
420 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 610 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
650V 18A 208W 4V@250uA N Channel ITO-220AB-3 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 18A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | - |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 208W |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 2.71 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 459 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![2SK1358, Транзистор N-MOSFET 900В 9А 150Вт [TO-3PN]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426402.jpg)
![2SK2837, Транзистор, N-канал, высокоскоростной, высокоточные ключи, драйверы электродвигателей [TO-3P]](https://static.chipdip.ru/lib/242/DOC000242335.jpg)
![2П301Б, Транзистор, P-канальный с изолированным затвором [КТ-114]](https://static.chipdip.ru/lib/215/DOC000215703.jpg)
![2SK2608, Транзистор N-канал 900В 3А 100Вт [TO-220]](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413065.jpg)
![AUIRF1010ZS, Транзистор, Auto Q101 Nкан 55В 94А [D2-PAK]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294584.jpg)
