AO4806-VB, 20V 7.1A 2W 25m-@4.5V,7.1A 1.5V@250uA 2 N-Channel SO-8 MOSFETs
60 шт., срок 6 недель
57 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
43 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 285 руб.
Описание
20V 7.1A 2W 25mΩ@4.5V,7.1A 1.5V@250uA 2 N-Channel SO-8 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 7.1A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 25mΩ@4.5V, 7.1A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 2W |
| Type | 2 N-Channel |
| Вес, г | 0.14 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 413 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![7N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 7А [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412891.jpg)
![FDS6679AZ, Транзистор P-MOSFET 30В 13.5А 2.7Вт [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
![FQD17P06TM, Транзистор P-MOSFET 60В 12A 2.5Вт [DPAK / TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
