ACE2302BBM+H-VB, 20V 6A 31.8m-@4.5V,6A N Channel SOT-23 MOSFETs
45 шт., срок 6 недель
21 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 105 руб.
Описание
20V 6A 31.8mΩ@4.5V,6A N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 11.6A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 11mΩ@10V, 10A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.96nF@15V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 5.6W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 325pF@15V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 22nC@4.5V |
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.08 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 458 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![100N03A, Транзистор N-MOSFET 30В 90А [TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
![2N60G, Транзистор N-MOSFET 600В 2А [SOT-223]](https://static.chipdip.ru/lib/288/DOC005288115.jpg)
