AP2305AGN-VB, 30V 5.6A 46m-@10V,5.6A P Channel SOT-23-3 MOSFETs
3440 шт., срок 6 недель
36 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
22 руб.
от 150 шт. —
18 руб.
от 500 шт. —
15.20 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 180 руб.
Описание
30V 5.6A 46mΩ@10V,5.6A P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 5.6A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 46mΩ@10V, 5.6A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | - |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
| Power Dissipation (Pd) | - |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 236 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![4N60L, Транзистор N-MOSFET 600В 4А [TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
![4N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 4А 33Вт [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412891.jpg)
![AO4441, Транзистор P-MOSFET 60В 4А 3.1Вт [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
