2SJ518-VB, 60V 4.8A 2.1W 58m-@10V,3A 2.5V@250uA P Channel SOT-89-3 MOSFETs
84 шт., срок 6 недель
78 руб.
от 10 шт. —
64 руб.
от 30 шт. —
51 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 78 руб.
Описание
60V 4.8A 2.1W 58mΩ@10V,3A 2.5V@250uA P Channel SOT-89-3 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 4.8A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 58mΩ@10V, 3A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 2.1W |
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.12 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 207 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![10N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 10А [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412891.jpg)
![2N7002DW-TP, Транзистор MOSFET, 2N-канала, 60В, 0.115А [SOT-363]](https://static.chipdip.ru/lib/313/DOC005313888.jpg)
![IRF4905STRL, Транзистор P-MOSFET 60В 42A 170Вт [D2PAK / TO-263]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294584.jpg)
![IRF9310TR, Транзистор P-MOSFET 30В 20А 2.5Вт [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
