PPMUT20V3, 20V 2.8A 140m-@4.5V,2.8A 350mW 900mV@250uA P Channel PG-SOT323-3 MOSFETs
620 шт., срок 6 недель
21 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
13 руб.
от 300 шт. —
11 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 210 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 2.8A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 140mΩ@4.5V, 2.8A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 900mV@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 350mW |
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet PPMUT20V3
pdf, 480 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![100N03A, Транзистор N-MOSFET 30В 90А [TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
![2N60G, Транзистор N-MOSFET 600В 2А [SOT-223]](https://static.chipdip.ru/lib/288/DOC005288115.jpg)
