KHB9D5N20F-VB, 200V 10A 265m-@10V,4.3A 37W 4V@250uA 110pF@25V N Channel 560pF@25V 16nC@10V -55-~+175-@(Tj) TO-220F-3 MOSFETs
64 шт., срок 7 недель
260 руб.
от 10 шт. —
160 руб.
от 50 шт. —
126 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 260 руб.
Описание
200V 10A 265mΩ@10V,4.3A 37W 4V@250uA N Channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 10A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 265mΩ@10V, 4.3A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 200V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 560pF@25V |
Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 37W |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 110pF@25V |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 16nC@10V |
Type | N Channel |
Вес, г | 2.33 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1760 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.