KHB9D5N20F-VB, 200V 10A 265m-@10V,4.3A 37W 4V@250uA 110pF@25V N Channel 560pF@25V 16nC@10V -55-~+175-@(Tj) TO-220F-3 MOSFETs

64 шт., срок 7 недель
260 руб.
от 10 шт.160 руб.
от 50 шт.126 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 260 руб.
Номенклатурный номер: 8015890016
Артикул: KHB9D5N20F-VB

Описание

200V 10A 265mΩ@10V,4.3A 37W 4V@250uA N Channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) 10A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 265mΩ@10V, 4.3A
Drain Source Voltage (Vdss) 200V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 4V@250uA
Input Capacitance (Ciss@Vds) 560pF@25V
Operating Temperature -55℃~+175℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd) 37W
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) 110pF@25V
Total Gate Charge (Qg@Vgs) 16nC@10V
Type N Channel
Вес, г 2.33

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1760 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.