CES2312A, SOT-23 MOSFETs
580 шт., срок 7 недель
16 руб.
Кратность заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 160 руб.
Описание
SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | - |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | - |
| Drain Source Voltage (Vdss) | - |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | - |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
| Power Dissipation (Pd) | - |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Type | - |
| Вес, г | 0.06 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 517 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![1N60L, Транзистор N-MOSFET 600В 1А [TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
![2N60G, Транзистор N-MOSFET 600В 2А [SOT-223]](https://static.chipdip.ru/lib/288/DOC005288115.jpg)
