MGSF2N02ELT1G, Транзистор силовой полевой SOT23-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 110 руб.
Описание
SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 6A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 31.8mΩ@4.5V, 6A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
Type | N Channel |
Case | SOT23 |
Drain current | 2.8A |
Drain-source voltage | 20V |
Gate charge | 3.5nC |
Gate-source voltage | ±8V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | reel, tape |
Manufacturer | ONSEMI |
Mounting | SMD |
On-state resistance | 85mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 1.25W |
Type of transistor | N-MOSFET |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 2.8 A |
Maximum Drain Source Resistance | 115 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 1.25 W |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 0.6 nC @ 4 V |
Width | 1.4mm |
Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов