FDD3672, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 44А, 135Вт, TO252AA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
400 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 400 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 44А, 135Вт, TO252AA Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Continuous Drain Current | 6.5(A) |
| Drain-Source On-Volt | 100(V) |
| Gate-Source Voltage (Max) | '±20(V) |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements | 1 |
| Operating Temp Range | -55C to 175C |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Package Type | DPAK |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 2+Tab |
| Polarity | N |
| Power Dissipation | 135(W) |
| Rad Hardened | No |
| Type | Power MOSFET |
| Case | DPAK |
| Drain current | 44A |
| Drain-source voltage | 100V |
| Gate charge | 36nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | ONSEMI |
| On-state resistance | 68mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Technology | UltraFET® |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 0.538 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 504 КБ
Документация
pdf, 521 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
