VND7NV04TR-E, Ключ силовой MOSFET 40В 6A DPAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
740 шт. со склада г.Москва, срок 11 дней
170 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 17 шт. —
140 руб.
от 33 шт. —
126 руб.
от 66 шт. —
120 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 510 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Микросхемы / Драйверы и ключи / Силовые ключи
Ключ силовой MOSFET 40В 6A DPAK
Технические параметры
| Корпус | D-Pak(TO-252) | |
| Brand: | STMicroelectronics | |
| Channel Mode: | Enhancement | |
| Configuration: | Single | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 | |
| Fall Time: | 350 ns | |
| Forward Transconductance - Min: | 9 S | |
| Id - Continuous Drain Current: | 6 A | |
| Manufacturer: | STMicroelectronics | |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
| Moisture Sensitive: | Yes | |
| Mounting Style: | SMD/SMT | |
| Number of Channels: | 1 Channel | |
| Package / Case: | TO-252-3 | |
| Pd - Power Dissipation: | 60 W | |
| Product Category: | MOSFET | |
| Product Type: | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge: | 18 nC | |
| Qualification: | AEC-Q101 | |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 60 mOhms | |
| Rise Time: | 470 ns | |
| Series: | VND7NV04 | |
| Subcategory: | MOSFETs | |
| Technology: | Si | |
| Transistor Polarity: | N-Channel | |
| Type: | Low Side | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 45 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V | |
| Вес, г | 0.409 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 420 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
