FF600R12KE7EHPSA1, IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM
![FF600R12KE7EHPSA1, IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM](https://static.chipdip.ru/lib/810/DOC027810431.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
50 570 руб.
от 10 шт. —
44 090 руб.
от 20 шт. —
42 440 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 50 570 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
Технические параметры
Brand: | Infineon Technologies |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1200 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.75 V |
Configuration: | Dual |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Mounting Style: | Chassis Mount |
Packaging: | Tray |
Part # Aliases: | FF600R12KE7_E SP005568704 |
Product Category: | IGBT Modules |
Product Type: | IGBT Modules |
Product: | IGBT Silicon Modules |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | IGBT7-E7 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 673 КБ
Дополнительная информация
Похожие товары