STD6N52K3, Транзистор полевой N-канальный 525В 5A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2010 шт. со склада г.Москва, срок 2-3 недели
83 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 31 шт. —
67 руб.
от 62 шт. —
63 руб.
от 124 шт. —
59 руб.
Добавить в корзину 6 шт.
на сумму 498 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 525В 5A
Технические параметры
| Корпус | DPAK/TO-252AA | |
| Brand: | STMicroelectronics | |
| Channel Mode: | Enhancement | |
| Configuration: | Single | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 | |
| Fall Time: | 18 ns | |
| Id - Continuous Drain Current: | 5 A | |
| Manufacturer: | STMicroelectronics | |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
| Mounting Style: | SMD/SMT | |
| Number of Channels: | 1 Channel | |
| Package / Case: | TO-252-3 | |
| Pd - Power Dissipation: | 70 W | |
| Product Category: | MOSFET | |
| Product Type: | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge: | 26 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1 Ohms | |
| Rise Time: | 11 ns | |
| Series: | STD6N52K3 | |
| Subcategory: | MOSFETs | |
| Technology: | Si | |
| Tradename: | MDmesh | |
| Transistor Polarity: | N-Channel | |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 31 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 525 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V | |
| Вес, г | 0.8 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 422 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
