Главная › Электронные компоненты › Микросхемы › Драйверы MOSFET и IGBT › INFENION › Модуль EconoDUAL™3 с TrenchFieldstop IGBT4 ...

Модуль EconoDUAL™3 с TrenchFieldstop IGBT4 высокоэффективным диодом, управлением эмиттером и NTC

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

230 шт. со склада г.Москва, срок 8-13 дней

Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка

23 220 руб.

от 5 шт. — 22 060 руб.

от 10 шт. — 20 960 руб.

от 20 шт. — 19 904.22 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 23 220 руб.

Номенклатурный номер: 8021959231

Артикул: FF450R12ME4

Бренд: INFENION

Описание

FF450R12ME4 - это силовой модуль IGBT, который предназначен для использования в промышленных и коммерческих приложениях. Он обладает высокой надежностью и эффективностью, и может применяться в различных устройствах, таких как преобразователи частоты, инверторы, источники бесперебойного питания и другие.

Этот модуль обычно используется для управления большими токами и напряжениями, и позволяет эффективно регулировать мощность в различных типах электрических цепей. Дополнительно, он имеет защитные функции, что делает его надежным и безопасным для использования.

Технические параметры

Конфигурация	Full-Bridge
Напряжение питания, В	12
Рабочая температура, °C	-40…+150
Корпус	керамика
I²t - значение при VR = 0 В, tP = 10 мс, Tvj = 125°C, A²s	35000
I²t - значение при VR = 0 В, tP = 10 мс, Tvj = 150°C, A²s	28500
Внутренний резистор затвора RGint при Tvj = 25°C, Ом	1.7
Данные Isc при VGE ≤ 15 В, VCC = 800 В, tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C, А	1800
Напряжение коллектор-эмиттера Vces при Tvj = 25°C, В	1200
Напряжение насыщения коллектор- эмиттер Vce sat при Ic = 450 A, Vge = 15 В, Tvj = 125°C, В	2.1
Напряжение насыщения коллектор- эмиттер Vce sat при Ic = 450 A, Vge = 15 В, Tvj = 150°C, В	2.1
Напряжение насыщения коллектор- эмиттер Vce sat при Ic = 450 A, Vge = 15 В, Tvj = 25°C, В	2.1
Непрерывная прямая DC If, А	450
Непрерывный ток DC коллектора Iс =675 при TC = 25°C, Tvj max = 175°C , А	675
Непрерывный ток DC коллектора Iс nom=450 при TC = 100°C, Tvj max = 175°C , А	450
Общая рассеиваемая мощность Ptot при TC = 25°C, Tvj max = 175°C, Вт	2250
Пиковое напряжение затвор-эмиттер Vges, В	+/-20
Повторяющийся пиковый прямой ток Ifrm при tP = 1 ms, А	900
Повторяющийся пиковый ток коллектора Icrm при tP = 1 ms, А	900
Прямое напряжение If = 450 A, VGE = 0 В, Tvj = 125°C, В	1.65
Прямое напряжение If = 450 A, VGE = 0 В, Tvj = 150°C, В	1.65
Прямое напряжение If = 450 A, VGE = 0 В, Tvj = 25°C, В	1.65
Термическое сопротивление RthJC, переход к корпусу (к IGBT), К/Вт	0.066
Термическое сопротивление, переход к корпусу (на диод), К/Вт	0.1
Вес, г	350