SSM3J356R,LF(T
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1000 шт., срок 7-9 недель
13 руб.
Мин. кол-во для заказа 27 шт.
Добавить в корзину 27 шт.
на сумму 351 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
The Toshiba field effect transistor made up of the silicon material and having P channel MOS type. It is mainly used in power management switching applications.
Технические параметры
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 2 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 4e+008 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Material | Silicon |
Техническая документация
Datasheet SSM3J356R,LF
pdf, 240 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![1N60G, Транзистор N-MOSFET 600В 1А [SOT-223]](https://static.chipdip.ru/lib/288/DOC005288115.jpg)
![1N60L, Транзистор N-MOSFET 600В 1А [TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
